GaN Transistor SE Amp 電源部の解説
2022-01-09


続いて電源部に移る。
+102V電源について
まずは初段用の+102V電源から。
禺画像] 整流は、GaN Transistorをダイオード接続して使用。平滑回路を経て無帰還の安定化回路に至る。基準電圧はWE427Aで得る。ちなみに放電管の使い方なのだが、一般に基準電圧源にはインピーダンスを低く保つためにCをパラ接続する。それで当初は0.47uFを接続した。ところが低い周波数でノコギリ波発振してしまう。この現象についてはMJ誌の記事にもどこかで触れておられる先生がいた。 なのでCははずしている。

制御トラはもちろんGS66502B。放電管とゲートの間にはTLP172Gがあって、後述のPICシーケンサからの制御信号Cont1を受けて起動/停止を行う。

なお、無帰還の安定化回路を設けたのは初段が電源リップルに敏感で、対策しないと出力雑音が大きくなるためである。

基板の表面と裏面の様子。 禺画像] 禺画像] 左上にGS66502B、真ん中にLPT172Gが見える。

+28V電源およびシーケンサ
まず回路図から。 禺画像] PICの7番ピンからのCont1信号は+102V基板にあるTLP172Gを経由して起動/停止を制御する。
同じく5番ピンから出たCont2信号は別のTLP172Gに行って、+28V電源の起動/停止を制御する。
+28V電源のスイッチングはGS61004Bで行い、そのためのG-S電圧は+102V基板からもってくる。フォトボルタイック素子で右往左往したのが嘘のような単純な解決方法だ。

なお、チョークコイルに並列にせつぞくされているSMBJ45CAは、電源OFF時の逆起電力を吸収するもので、GaN Transistorが破壊されないように万が一のために入れている。

基板の表面と裏面の様子。 禺画像] 禺画像] フォトボルタイック素子を取り去ってしまったので、ずいぶんと間の抜けた基板になってしまった。いつもSMD(表面実装)部品ばかり扱っていると、スルーホール部品がやけに大きく見える。
[Audio]
[Schematics]
[Single End Amp]

コメント(全0件)
コメントをする


記事を書く
powered by ASAHIネット